DRAM、NAND 與NOR 三季度總產(chǎn)值均提升，NAND Flash 現(xiàn)貨價(jià)格11月至今漲幅1.6%：三季度DRAM、NAND 與NOR 總產(chǎn)值分別為154 億美元、119 億美元與5.7 億美元，環(huán)比增速分別為4.1%、10.2%與4.3%。

    三季度NAND 產(chǎn)品增速最快，產(chǎn)業(yè)高增速主要受益于年底銷(xiāo)售旺季以及因應(yīng)美中貿(mào)易沖突客戶提前備貨需求增加，整體位元出貨量增速近15%。

    另一方面，第三季NAND 現(xiàn)貨價(jià)格跌幅持續(xù)收緊，11 月初至今上漲1.6%，NAND 供應(yīng)商庫(kù)存水位明顯改善，NAND 產(chǎn)品價(jià)格有望率先回漲。

    三星、海力士存儲(chǔ)庫(kù)存水位下降，調(diào)整存儲(chǔ)產(chǎn)能應(yīng)對(duì)CIS 需求激增：Q3 三星NAND 已經(jīng)達(dá)到正常的庫(kù)存水平；三季度DRAM 出貨量遠(yuǎn)超出預(yù)期，與Q2 相比，目前的DRAM 庫(kù)存減少比較明顯。此外，三星需要額外的產(chǎn)能容量來(lái)響應(yīng)CIS 或CMOS 圖像傳感器的需求，計(jì)劃從明年第一季度開(kāi)始增加CIS 的產(chǎn)能，相應(yīng)DRAM 產(chǎn)能有所下降，預(yù)計(jì)三星DRAM 庫(kù)存將在明年上半年達(dá)到正常水平。SK 海力士正在將利川M10 廠的一部分生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為批量生產(chǎn)CMOS 圖像傳感器（CIS）的生產(chǎn)線，同時(shí)減少2DNAND 閃存的生產(chǎn)量；預(yù)計(jì)明年的DRAM 和NAND 的生產(chǎn)量下降，相應(yīng)投資額減少。

    兆易創(chuàng)新NOR 單季收入晉升全球第三，大陸與臺(tái)灣廠商高增長(zhǎng)受益于TWS 耳機(jī)出貨量爆漲：第三季度NOR 行業(yè)整體營(yíng)收環(huán)比增速為4.3%，單季市場(chǎng)總收入5.7 億美元，體量遠(yuǎn)低于NAND 與DRAM。其中，環(huán)比增速最快的廠商為大陸企業(yè)兆易創(chuàng)新，Q3 收入1.04 億美元，環(huán)比增長(zhǎng)36.2%，收入排名超過(guò)美國(guó)企業(yè)賽普拉斯晉升至第三名。NOR FLASH 廠商華邦電、旺宏與兆易創(chuàng)新單季營(yíng)收增長(zhǎng)主要受益于TWS 耳機(jī)出貨量爆漲。

    投資建議： 1）消費(fèi)電子建議關(guān)注iPhone 無(wú)線通訊模組以及iWatch 的SiP模組供應(yīng)商環(huán)旭電子；COMS 芯片供應(yīng)商韋爾股份；國(guó)內(nèi)泛射頻龍頭信維通信；2）半導(dǎo)體板塊建議關(guān)注國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商中微公司；半導(dǎo)體石英材料廠商石英股份；晶圓廠干式真空泵廠商漢鐘精機(jī)；存儲(chǔ)器供應(yīng)商兆易創(chuàng)新；以及先進(jìn)封裝領(lǐng)軍企業(yè)晶方科技；3）電子化學(xué)品建議持續(xù)跟蹤國(guó)內(nèi)PCB 油墨龍頭企業(yè)廣信材料；以及CMP 拋光液龍頭安集科技。

    風(fēng)險(xiǎn)提示：存儲(chǔ)庫(kù)存調(diào)整不及預(yù)期，下游需求不及預(yù)期。