半導(dǎo)體激光芯片概念股主要應(yīng)用在低功率的光通信市場(chǎng)以及高功率的光纖激光器市場(chǎng)。我國(guó)半導(dǎo)體激光芯片技術(shù)基礎(chǔ)薄弱，在光通信芯片市場(chǎng)替代率仍處于較低水平，長(zhǎng)期替代空間廣闊；在高功率光纖激光器市場(chǎng)，下游光纖激光器廠(chǎng)商不斷追趕海外巨頭，帶動(dòng)背后國(guó)內(nèi)激光芯片廠(chǎng)商進(jìn)入國(guó)產(chǎn)替代的加速期。

 

    　　高功率半導(dǎo)體激光器芯片：國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)入加速期。高功率半導(dǎo)體激光芯片主要是由西方發(fā)達(dá)國(guó)家所壟斷，如美國(guó)的II-VI、Lumentum、nLight、IPG、Coherent，德國(guó)的Dilas、Jenoptic、Osram 等。表觀(guān)上我國(guó)低、中、高功率光纖激光器國(guó)產(chǎn)化率分別為98%、 52%、60%，但從其中的半導(dǎo)體激光芯片觀(guān)察，雖然我國(guó)光纖激光器芯片市場(chǎng)有15 億元（占全球約60%），國(guó)內(nèi)第一梯隊(duì)的長(zhǎng)光華芯、武漢銳晶合計(jì)市占率仍不到20%（占全球不到10%）。隨著以銳科、創(chuàng)鑫、飛博、大科、光惠等為代表的下游激光器廠(chǎng)商技術(shù)水平的不斷提升，我國(guó)激光芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入國(guó)產(chǎn)替代的加速期已成必然趨勢(shì)，以長(zhǎng)光華芯、武漢銳晶、瑞波光電為代表的國(guó)產(chǎn)激光芯片廠(chǎng)商有望迎來(lái)發(fā)展的黃金機(jī)遇期。

 

    　　光通信芯片：下游需求方興未艾， ≥25G 國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。

 

    　　LightCounting 預(yù)計(jì) 22-27 年全球光模塊市場(chǎng)CAGR 可達(dá)12%，同時(shí)根據(jù)Yole 測(cè)算，19-26 年全球光模塊器件磷化銦襯底市場(chǎng)CAGR 約13.94%。隨著下游需求驅(qū)動(dòng)，中國(guó)光通信芯片市場(chǎng)規(guī)模有望從2020年的6.7 億美元迅速增長(zhǎng)到2025 年11 億美元，CAGR 將達(dá)到17.4%。

 

    　　全球主要光器件龍頭股廠(chǎng)家均積極布局有源光芯片、器件與光模塊產(chǎn)品，并達(dá)到 100Gb/s 速率及以上的水平。在中興、華為等通信設(shè)備的強(qiáng)勢(shì)助攻下，中國(guó)成為世界上最大的光器件消費(fèi)大國(guó)，市場(chǎng)占比約為35%。國(guó)內(nèi)企業(yè)在無(wú)源器件、低速光收發(fā)模塊等中低端細(xì)分市場(chǎng)較強(qiáng)，然而以高速率為主要特征的高端光芯片技術(shù)，還掌握在美日企業(yè)手中（美/日全球50%以上、占我國(guó)90%以上市場(chǎng)），我國(guó)高速率光芯片國(guó)產(chǎn)化率僅3%左右。國(guó)內(nèi)企業(yè)只掌握了≤10Gb/s 速率的激光器概念股、探測(cè)器、調(diào)制器芯片，以及PLC/AWG 芯片的制造工藝以及配套IC 的設(shè)計(jì)、封測(cè)能力，25Gb/s 的工藝能力及產(chǎn)能配套都無(wú)法形成規(guī)模。受益于中國(guó)25G 光模塊的規(guī)模招標(biāo)應(yīng)用，國(guó)產(chǎn)化25G 激光器芯片概念股正逐步突破，源杰半導(dǎo)體、海信寬帶、光迅科技、敏芯半導(dǎo)體、中科光芯、三安集成、光安倫、芯思杰、華芯半導(dǎo)體、長(zhǎng)瑞光電、博升光電、仟目激光等廠(chǎng)商已開(kāi)始嶄露頭角。

 

    　　風(fēng)險(xiǎn)提示： 1）國(guó)內(nèi)光通信芯片企業(yè)技術(shù)進(jìn)步不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)； 2）國(guó)內(nèi)高功率激光芯片概念股企業(yè)技術(shù)進(jìn)步不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)。

 

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