美國商務部限制半導體材料金剛石概念股出口：美國時間8 與12 日，美國商務部宣布從8 月15 日開始對四項技術(shù)加入商業(yè)管制清單，開始限制其出口，這四項技術(shù)分別是寬禁帶半導體材料氧化鎵（Ga2O3）和金剛石概念股；開發(fā)GAAFET（全柵場效應晶體管）結(jié)構(gòu)集成電路的ECAD 軟件和壓力增益燃燒技術(shù)（PGC）。

 

    不僅僅是培育鉆石，CVD 法工業(yè)金剛石還可用于半導體材料：CVD 法的人造金剛石除了在消費端用于寶石級的鉆石外，還能在工業(yè)上作為高端半導體材料，相較于其他半導體材料，金剛石半導體材料的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在更高的載流子遷移率、更高的擊穿電場、更大的熱導率，可以滿足未來大功率、強電場和抗輻射等方面的需求，是制作功率半導體器件的理想材料。未來應用場景廣闊。

 

    半導體金剛石材料主要通過MPCVD 技術(shù)路徑，我國目前在該場景應用仍處于發(fā)展早期：在人造金剛石的各種生產(chǎn)方法中，MPCVD 無極放電、無污染、外延可控性強，在大尺寸、高純度金剛石制備與摻雜研究方面優(yōu)勢更明顯，因此金剛石半導體材料大多通過MPCVD 技術(shù)路徑。

 

    目前中兵紅箭CVD 技術(shù)已經(jīng)取得突破，單爐MPCVD 設(shè)備可生長14 顆10 克拉以上的單晶毛坯，生長速率11μm/h 以上，沃爾德在金剛石功能材料概念股超過15 年的技術(shù)儲備和研究，部分產(chǎn)品已經(jīng)開始實現(xiàn)商業(yè)化，四方達的MPCVD 法培育鉆石已經(jīng)在逐步投產(chǎn)，已實現(xiàn)對外實際銷售。國機精工新型高功率MPCVD 法大單晶金剛石項目已在逐步投產(chǎn)中。

 

    投資建議：CVD 工業(yè)金剛石概念股憑借其更強的高溫高壓耐受性能，在半導體領(lǐng)域有較大的應用潛力，不僅僅是培育鉆石，國內(nèi)CVD 工業(yè)金剛石概念股頭部企業(yè)將有望迎來更廣闊的的市場空間，推薦中兵紅箭，建議關(guān)注沃爾德，四方達和國機精工。

 

    風險提示： CVD 工業(yè)金剛石產(chǎn)能龍頭股推廣不及預期，商業(yè)化進程不及預期等

 

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