事件：美國商務(wù)部再增四項(xiàng)技術(shù)出口管制，中國半導(dǎo)體發(fā)展再遇阻礙8 月13 日，美國商務(wù)部工業(yè)龍頭股和安全局（BIS）發(fā)布公告，對四項(xiàng)“新興和基礎(chǔ)技術(shù)”納入新的出口管制。包括兩項(xiàng)被稱做“第四代半導(dǎo)體材料”的氧化鎵和金剛石；開發(fā)GAAFET（全柵場效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)集成電路概念股必需的ECAD（電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)）軟件龍頭股；生產(chǎn)開發(fā)燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)部件或系統(tǒng)所需的壓力增益燃燒（PGC）技術(shù)。對于第四代半導(dǎo)體和PGC 技術(shù)的出口管制將自8 月15 日生效，對ECAD 的出口管制將在8 月15 日起60 天后生效。根據(jù)我們對條文的理解，ECAD 禁令長期可能會(huì)影響中國高性能芯片企業(yè)的產(chǎn)品持續(xù)迭代演進(jìn)。

 

    強(qiáng)化EDA 出口管制可能會(huì)限制中國高性能計(jì)算芯片研發(fā)半導(dǎo)體的生產(chǎn)涉及（1）設(shè)計(jì)，（2）晶圓制造概念股，（3）半導(dǎo)體設(shè)備，（4）設(shè)計(jì)工具（EDA），（5）半導(dǎo)體設(shè)備和材料等多個(gè)環(huán)節(jié)。本次管制政策導(dǎo)入前，美國商務(wù)部已經(jīng)限制向中國出口10nm 以下先進(jìn)工藝生產(chǎn)設(shè)備，這導(dǎo)致在中國大陸生產(chǎn)7nm 以下先進(jìn)工藝芯片非常困難。但不限制中國芯片設(shè)計(jì)企業(yè)（除海思等在實(shí)體清單上企業(yè)以外），使用美國EDA 軟件，在中國以外的代工廠（例如三星）生產(chǎn)先進(jìn)工藝芯片。本禁令生效以后，中國芯片設(shè)計(jì)企業(yè)在沒有美國商務(wù)部授權(quán)情況下，也很難在中國大陸以外代工企業(yè)進(jìn)行3nm 以下先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)流片。這對中國企業(yè)未來發(fā)展高性能計(jì)算芯片可能造成一定影響。

 

    強(qiáng)化“第四代”半導(dǎo)體材料管制，或延遲我國產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程08 年《瓦森納協(xié)定》規(guī)定，對中國禁運(yùn)半絕緣型碳化硅襯底材料，制約中國國防和新一代信息通信的發(fā)展，但未限制導(dǎo)電型碳化硅襯底材料。目前天岳先進(jìn)在全球半絕緣型碳化硅襯底處領(lǐng)先地位，Wolfspeed 在全球?qū)щ娦鸵r底占領(lǐng)先市占率。此外國外限制應(yīng)用于軍事領(lǐng)域的高性能氮化鎵器件對華出售。本次美國商業(yè)管制清單新增第四代半導(dǎo)體材料，與其他半導(dǎo)體材料相較，氧化稼具備低損耗優(yōu)勢，但由于氧化稼襯底需在高溫含氧環(huán)境生長，且需用貴金屬銥做坩堝，而銥單價(jià)貴且依賴進(jìn)口，我國氧化稼不具備產(chǎn)業(yè)化條件，仍處早期。而金剛石未實(shí)現(xiàn)大尺寸突破，因此四代半大規(guī)模落地尚需時(shí)日。

 

    美國出口管制再度加碼，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控迫在眉睫美國此次新增出口管制意概念股在阻止中國企業(yè)向先進(jìn)制程設(shè)計(jì)概念股領(lǐng)域演進(jìn)，以及在新興半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的商業(yè)化進(jìn)展。當(dāng)前，中國在氧化鎵、金剛石等領(lǐng)域與海外存在差距，但科技部已將氧化鎵列入“十四五重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃”，旨在加速追趕差距。國內(nèi)EDA 公司與海外龍頭差距較大，市場份額較小，我們認(rèn)為在地緣政治等因素的影響下，獨(dú)立自主的工業(yè)軟件進(jìn)程有望加速發(fā)展。

 

    EDA 作為研發(fā)設(shè)計(jì)類工業(yè)軟件，技術(shù)壁壘較高，我們認(rèn)為已實(shí)現(xiàn)點(diǎn)工具概念股突破的國產(chǎn)EDA 廠商有望受益，建議關(guān)注。

 

    風(fēng)險(xiǎn)提示：美國加大出口管制；半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入下行周期的風(fēng)險(xiǎn)

 

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